能够体现等离子体特征的可进行测量变量包括电子的温度,以及在紫外和可见光范围内被激发的物质粒子的辐射情况。
常压下要在对温度十分敏感的塑料表面进行预处理而不造成损伤的唯一方法,是使用较高的电子温度和较低的离子温度。
可以使用光学发射光谱(OES)对等离子体能量释放而发出的光进行探测。要实现这一检测,等离子体中被激发的在可见光、尤其是紫外线范围之内的物质的特征发射光谱,会通过光纤传输到用于检测的电子设备,并使用专用软件作进一步处理。Plasmatreat系统的工艺监控部件根据这一光学监测的原理进行运作。这样可以保证整个等离子处理过程中稳定均匀的效果。
能量释放:物质由等离子体态转变成为基本状态。在此过程中,之前提供的激发能量将以光的形式释放到周围环境中。
/Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /PlasmaCharakterisierung, /PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung, /Tags/Plasmatechnologie/PlasmaCharakterisierung-rechts